相比多晶硅太阳能电池的高成本，非晶硅太阳能电池的成本相对较低。特别是近几年，在多晶硅持续暴涨的背景下，非晶硅太阳能电池的成本优势更加明显（每MW非晶硅太阳能电池的成本约为多晶硅电池成本的1/3）。短期来看，非晶硅太阳能电池制造业将充分受益于多晶硅价格的上涨。据权威机构EPIA预测，到2010年，非晶硅太阳能电池市场占有率有望从2006年的4.7％提升到10％左右。

从长期来看，虽然非晶硅光伏电池存在低转换效率、光致衰减效应等问题，在大规模并网发电应用中应用份额较少，但是其具有最好的弱光性能，可在漫反射条件下实现光伏发电，对于日照条件不佳的地区以及光伏建筑一体化应用来说，将成为晶体硅电池的很好补充，非晶硅太阳能电池应用产品面临绝好发展机遇。

太阳能应用产品特别是民用产品近几年发展迅速，如太阳能灯、太阳能充电器、光伏幕墙等，逐步进入了我们的日常生活。以目前发展迅速的非晶硅光伏幕墙为例，目前非晶硅光伏电池幕墙的价格在每平方米2500元人民币左右，而普通玻璃幕墙的价格则在1400～1700元人民币左右。随着技术的进步和政府有可能采取相应补贴，未来成本将接近普通幕墙的价格，届时光伏幕墙将大面积推广，市场前景不可限量。

针对目前世界对太阳能电池的需求情况，吉林庆达新能源电力股份有限公司抓住机遇积极开拓国内外的市场，抢先占有国内市场，以满足不同用户的需求。

生产30MW非晶硅/微晶硅叠加薄膜太阳能电池，将有90％即24MW出口国外市场，10％即6MW占领国内市场。

1.1.4 技术分析

非晶硅薄膜太阳能电池制作简单，成本较低，便于大规模生产，普遍受到人们的重视并得以迅速的发展，光电转换率在14.5％以上，但稳定性较差。提高转换率和稳定性是非晶硅薄膜太阳能电池的发展方向。目前，非晶硅电池在低功率电力系统中应用较多。

非晶硅(a-Si)太阳能电池是在玻璃(glass)衬底上沉积透明导电膜(TCO)，然后依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si，接着再蒸镀金属电极铝(Al).光从玻璃面入射，电池电流从透明导电膜和铝引出，其结构可表示为glass/TCO/PIN/Al，还可以用不锈钢片、塑料等作衬底。

硅材料是目前太阳能电池的主导材料，在成品太阳能电池成本份额中，硅材料占了将近40%，而非晶硅太阳能电池的厚度不到1μm，不足晶体硅太阳能电池厚度的1/100，这就大大降低了制造成本，又由于非晶硅太阳能电池的制造温度很低(200℃左右)，易于实现大面积沉积等优点，使其在薄膜太阳能电池中占据首要地位，在制造方法方面有电子回旋共振法、光化学气相沉积法、直流辉光放电法、射频辉光放电法、溅谢法和热丝法等。特别是射频辉光放电法由于其低温过程(200℃左右)，易于实现大面积和大批量连续生产，现成为国际公认的成熟技术。在材料研究方面，先后研究了a-SiC窗口层、梯度界面层、μC-SiC p层等，明显改善了电池的短波光谱响应。这是由于a-Si太阳能电池光生载流子的生成主要在i层，入射光到达i层之前部分被p层吸收，对发电是无效的。而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更宽的光学带隙，因此减少了对光的吸收，使到达i层的光增加；加之梯度界面层的采用，改善了a-SiC/a-Si异质结界面光电子的输运特性。在增加长波响应方面，采用了绒面TCO膜、绒面多层背反射电极(ZnO/Ag /AL)和多带隙叠层结构，即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al结构。绒面TCO膜和多层背反射电极减少了光的反射和透射损失，并增加了光在i层的传播路程，从而增加了光在i层的吸收多带隙结构中，i层的带隙宽度从光入射方向开始依次减小，以便分段吸收太阳光，达到拓宽光谱响应、提高转换效率之目的。在提高叠层电池效率方面还采用了渐变带隙设计、隧道结中的微晶化掺杂层等，以改善载流子收集。