| 7085cm²电池组件最高效率为10.1％。
硒化/硫化Cu-In-Ga金属预制层在用惰性气体稀释的H2Se和H2S中进行沉积后的硒化/硫化，或在通常炉子中于Se和S蒸汽中进行硒化/硫化，已广泛用于大规模生产工艺。H2Se优于元素Se，因后者组份变化大，材料损耗也大。在该工艺中，应用略贫Cu的金属预制层。
适量掺Na一直用于改进吸收层的形貌和p型掺杂浓度。Ga易于扩散到Mo背接触层中(由于剩余应力、Ga原子小)。Ga背扩散可改进CIGS粘附，并产生一背表面场而阻止少数载流子扩散到背接触中。Ga的分布不易控制，但这一问题可通过硒化后的硫化而部分地解决。
CIGS电池组件的转换效率与低端c-Si电池组件相当，且有相当大的改进余地。可通过多种工艺制备CIGS层：组成元素的反应共蒸发、硒化/硫化、反应共溅射和非真空工艺。在0.8～0.92这一窄的范围内调整Cu/(In+Ga)比值、Ga/（In+Ga）=0.3、加入微量Na(通过衬底中Na的扩散或沉积Na化合物)增强{110/102}织构和加入S。利用这些技术都可提高CIGS电池的效率。很多公司已在进行CIGS PV组件的商业化生产，更多的公司正计划进行大规模生产（如日本的本田、昭和和德国的威尔斯，美国的全球太阳能），CIGS电池组件将不断扩大其市场份额，由于材料成本低于硅晶系，原材料最大产地是中国，目前世界上只有六家在生产。吉林省北方工业硅集团公司在2007的试验报告100×100mm的转换率为10%，2008年在同样的面积上作出了13.6%的实验报告，已接近了先进国家的水平。
1.1.3 市场前景
太阳能光伏制造业近年来在我国的长三角和珠三角地区迅速崛起，我国电池及组件制造年均增长率都超过100%。
我国对太阳能电池的研究起步于1958年，上世纪80年代末期，国内先后引进了多条太阳能电池生产线，使我国太阳能电池生产能力由原来3个小厂的几百千瓦一下子提升到4个厂的4.5MW，这种产能一直持续到2002年，产量则只有2MW左右。2002年后，欧洲市场特别是德国市场的急剧放大和无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展给我国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。2005年中国太阳能电池生产总量达到139MW，较2004年猛增了179%，成为全球发展最快的国家。
全球太阳光电产业发展趋势详见图1。
2006～2007年全球PV产能情况详见图2。
图1 全球太阳光电产业发展趋势图
图2 2006～2007年全球PV产能情况图
根据美国Solar buzz公司2008年3月中旬发布的报告，2007年世界太阳能光伏市场比上年度增长62%，创出了2826MW的新高。2007年的世界光伏市场发展状况详见图3。
图3 2007年世界光伏市场情况图
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2007年太阳能光伏（PV）工业的全球营业收入达到172亿美元。其中，德国2007年PV市场达到1328MW，占世界市场的47%。西班牙增长超过480%，达到640MW；而美国增长57%，达到220MW，占世界市场的近8%，成为继日本之后的世界第4大市场。日本则在2007年下降23%，达230MW。这四个国家占据了86%的太阳能光伏市场。
环球能源网报道，2008年以后，欧美太阳能市场出现了爆发式增长，这主要是由欧美国家政府支持力度的加大和新技术的不断出现，其中，美国将可能是未来世界太阳能市场的最大动力。另外，值得一提的是日本，2000年日本的光伏发电比例占到世界的一半以上，但2004年德国首次超过日本成为世界太阳能发电第一大国，这不仅是由于德国近年来光伏发电系统安装量增长显著，也由于日本对太阳能发展采取了抑制措施，因其内需有限，日本2007年开始停止住户太阳能奖励方案，同时由于多晶硅短缺其太阳能市场也呈继续萎缩态势。
就我国来说，尽管我国太阳能光伏发电潜力巨大，但真正并网型的太阳能光伏市场远未形成。目前，国内太阳能光伏的应用主要集中在农村电气化和离网型太阳能光伏产品，这主要是由于我国太阳能光伏发电成本较高。本新闻共 6页,当前在第 2页 1 2 3 4 5 6 |
